הינטערגרונט

בעשאַס טשאַרדזשינג און דיסטשאַרדזשינג פון באַטעריז, די קאַפּאַציטעט וועט זיין ינפלואַנסט דורך די אָוווערוואָולטידזש געפֿירט דורך ינערלעך קעגנשטעל.ווי אַ קריטיש פּאַראַמעטער פון באַטאַרייע, ינערלעך קעגנשטעל איז ווערט פאָרשונג פֿאַר אַנאַלייזינג באַטאַרייע דערנידעריקונג.די ינערלעך קעגנשטעל פון אַ באַטאַרייע כּולל:

• אָהם ינערלעך קעגנשטעל (R_Ω) —די קעגנשטעל פון טאַבס, עלעקטראָליטע, סעפּאַראַטאָר און אנדערע קאַמפּאָונאַנץ.
• טשאַרדזשיז טראַנסמיסיע ינערלעך קעגנשטעל (R_ct) —די קעגנשטעל פון ייאַנז גייט פארביי טאַבס און עלעקטראָליטע.דעם רעפּראַזענץ די שוועריקייט פון טאַבס אָפּרוף.נאָרמאַללי, מיר קענען פאַרגרעסערן די קאַנדאַקטיוואַטי צו רעדוצירן דעם קעגנשטעל.
• פּאָליאַריזאַטיאָן קעגנשטעל (R_mt) איז די ינערלעך קעגנשטעל געפֿירט דורך געדיכטקייַט אַניוואַן פון ליטהיום ייאַנז צווישןקאַטאָודאון אַנאָוד.פּאָלאַריזאַטיאָן קעגנשטעל וועט זיין העכער אין סיטואַטיאָנס ווי נידעריק טשאַרדזשינגטעמפּעראַטוראָדער הויך רייטאַד אָפּצאָל.

נאָרמאַללי, מיר מעסטן די ACIR אָדער DCIR.ACIR איז די ינערלעך קעגנשטעל געמאסטן אין 1 ק הז אַק קראַנט.די ינערלעך קעגנשטעל איז אויך באקאנט ווי אָהם קעגנשטעל.דידוחקפון די דאַטן איז אַז עס קען נישט ווייַזן די פאָרשטעלונג פון אַ באַטאַרייע גלייַך.DCIR איז געמאסטן דורך אַ געצווונגען קעסיידערדיק קראַנט אין אַ קורץ צייט, אין וואָס די וואָולטידזש קאַנטיניואַסלי ענדערונגען.אויב די ינסטאַנטאַניאַס קראַנט איז איך, און די ענדערונג פון וואָולטידזש אין דעם קורץ טערמין איזΔＵ, לויט אוהם געזעץＲ＝ΔＵ／Ｉמיר קענען באַקומען די DCIR.DCIR איז ניט בלויז וועגן אָהם ינערלעך קעגנשטעל, אָבער אויך אָפּצאָל אַריבערפירן קעגנשטעל און פּאָולעראַזיישאַן קעגנשטעל.

אַנאַליסיס אויף סטאַנדאַרדס פון טשיינאַ און אנדערע לענדער

It'עס איז שטענדיק אַ שוועריקייט אין די פאָרשונג פון DCIR פון אַ ליטהיום-יאָן באַטאַרייע.עס'דער הויפּט ווייַל די ינערלעך קעגנשטעל פון אַ ליטהיום-יאָן באַטאַרייע איז זייער קליין, יוזשאַוואַלי נאָר עטלעכע מΩ.דערווייַל, ווי אַן אַקטיוו קאָמפּאָנענט, עס איז שווער צו מעסטן די ינערלעך קעגנשטעל גלייַך.חוץ, די ינערלעך קעגנשטעל איז ינפלואַנסט דורך די סטאַטוס פון סוויווע, ווי טעמפּעראַטור און טשאַרדזשיז סטאַטוס.ונטער זענען סטאַנדאַרדס וואָס האָבן דערמאנט וועגן ווי צו פּרובירן DCIR.

• אינטערנאַציאָנאַלע נאָרמאַל:

IEC 61960-3: 2017:צווייטיק סעלז און באַטעריז מיט אַלקאַליין אָדער אנדערע ניט-זויער עלעקטראָליטעס - צווייטיק ליטהיום סעלז און באַטעריז פֿאַר פּאָרטאַטיוו אַפּלאַקיישאַנז - טייל 3: פּריסמאַטיק און סילינדריקאַל ליטהיום צווייטיק סעלז און באַטעריז געמאכט פון זיי.

IEC 62620:2014:צווייטיק סעלז און באַטעריז מיט אַלקאַליין אָדער אנדערע ניט-זויער עלעקטראָליטעס - צווייטיק ליטהיום סעלז און באַטעריז פֿאַר נוצן אין ינדאַסטריאַל אַפּלאַקיישאַנז.

• יאַפּאַן:JIS C 8715-1:2018: צווייטיק ליטהיום סעלז און באַטעריז פֿאַר נוצן אין ינדאַסטריאַל אַפּלאַקיישאַנז - טייל 1: טעסץ און פאָרשטעלונג רעקווירעמענץ
• טשיינאַ טוט נישט האָבן אַ באַטייַטיק נאָרמאַל וועגן DCIR טעסטינג.

ווערייאַטיז

די טעסטינג מעטהאָדס זענען ענלעך צווישןיעק 61960-3:2017,IEC 62620:2014אוןJIS C 8715-1:2018.די הויפּט דיסטינגקשאַנז זענען ווי גייט:

1. טעסטינג טעמפּעראַטורעס זענען אַנדערש.IEC 62620:2014 אוןJIS C 8715-1:2018רעגולירט אַ 5℃העכער אַמביאַנט טעמפּעראַטור ווי IEC 61960-3:2017.נידעריקער טעמפּעראַטור וועט מאַכן עס העכער וויסקאָסיטי פון עלעקטראָליטע, וואָס וועט פאַרשאַפן נידעריקער באַוועגונג פון ייאַנז.אזוי דער כעמישער רעאַקציע וועט סלאָוער, און אָהם קעגנשטעל און פּאָולעראַזיישאַן קעגנשטעל וועט ווערן גרעסערע, וואָס וועט פאַרשאַפן אַ גאַנג פון DCIR פאַרגרעסערן.
2. SoC איז אַנדערש.די SoC פארלאנגט איןIEC 62620:2014אוןJIS C 8715-1:2018איז 50％±10％, בשעתיעק 61960-3:2017איז 100%.די באַשולדיקונג סטאַטוס איז זייער ינפלוענטשאַל צו DCIR.נאָרמאַללי די DCIR טעסטינג רעזולטאַט וועט באַקומען נידעריקער מיט אַ פאַרגרעסערן פון SoC.דעם איז שייך צו דער פּראָצעדור פון אָפּרוף.אין אַ נידעריק SoC,די אָפּצאָל אַריבערפירן קעגנשטעלR_ct וועט זיין העכער;אוןR_ct וועט פאַרמינערן מיט פאַרגרעסערן פון SoC, אַזוי ווי DCIR.
3. די אָפּזאָגן צייַט איז אַנדערש.IEC 62620:2014 און JIS C 8715-1:2018 ריקווייערז אַ מער אָפּזאָגן צייט ווייעק 61960-3:2017.די לאַנג דויפעק צייַט וועט פאַרשאַפן אַ נידעריקער ינקריסינג גאַנג פון DCIR, און פאָרשטעלן אַ דיווייישאַן פון לינעאַריטי.די סיבה איז אַז די ינקריסינג פון דויפעק צייט וועט פאַרשאַפן אַ העכערR_ct און ווערןדאָמינאַנט.
4. די אָפּזאָגן קעראַנץ זענען אַנדערש.אָבער, די אָפּזאָגן קראַנט איז נישט דאַווקע גלייַך צו DCIR.די באַציונג איז באשלאסן דורךדיפּלאַן.
5. כאָטשJIS C 8715-1:2018רעפערס צוIEC 62620:2014, זיי האָבן פאַרשידענע זוך אויף הויך רייטאַד באַטעריז.IEC 62620:2014דיפיינז אַז הויך רייטאַד באַטעריז קענען אָפּזאָגן ניט ווייניקער ווי 7.0C פון קראַנט.WהילעJIS C 8715-1:2018דיפיינז הויך רייטאַד באַטעריז וואָס קענען אָפּזאָגן מיט 3.5C.

אַנאַליסיס אויף טעסטינג

ונטער איז די וואָולטידזש-צייט פונקציע טשאַרט פון DCIR טעסטינג מאָס.די ויסבייג ווייזט די קעגנשטעל פון סעלז, אַזוי מיר קענען אָפּשאַצן די פאָרשטעלונג.

• ווי געוויזן אין די בילד, די רויט אַראָוז פאָרשטעלןR_Ω. די ווערט איז שייך צו יר-דראָפּ.יר-דראָפּ מיטל די פּלוצעמדיק ענדערונג פון וואָולטידזש נאָך די קראַנט ענדערונג.נאָרמאַללי ווען אַ צעל איז ילעקטראַפייד, דאָרט'אַ קאַפּ פון וואָולטידזש.דעריבער מיר קענען וויסן אַז דיR_Ω פון דער צעל איז0.49mΩ.
• די גרין פייַל רעפּראַזענץR_ct. R_ct אוןR_mt דאַרפֿן עטלעכע מאָל צו אַקטאַווייט.נאָרמאַללי עס כאַפּאַנז נאָך קאַפּ פון אָהם וואָולטידזש.די ווערט פוןR_ct קענען זיין געמאסטן 1ms נאָך קראַנט ענדערונג.די ווערט איז0.046mΩ.נאָרמאַלליR_ct וועט פאַרמינערן מיט די העכערונג פון SoC.
• די בלוי פייַל רעפּראַזענץ די ענדערונג פוןR_mt. די וואָולטידזש האלט דיקריסינג ווייַל פון ליטהיום-יאָן אַניוואַן פאַרשפּרייטן.די ווערט פוןR_mt is 0.19mΩ 

מסקנא

DCIR טעסט קענען ווייַזן די פאָרשטעלונג פון באַטעריז.עס'איז אויך אַ קריטיש פּאַראַמעטער פֿאַר ר & די.אָבער, עס זענען עטלעכע ישוז צו זיין קאַנסידערד צו האַלטן די אַקיעראַסי פון מעאַסורעמענט.

• דער וועג פון קשר צווישן באַטעריז און אָפּצאָל און אָפּזאָגן עקוויפּמענט זאָל זיין קאַנסידערד.די קשר קעגנשטעל זאָל זיין ווי נידעריק ווי מעגלעך (פאָרשלאָגן נישט גרעסער ווי0.02mΩ).
• די קשר פון וואָולטידזש און קראַנט זאַמלונג ווירעס איז אויך וויכטיק.Iעס וואָלט זיין בעסער צו פאַרבינדן אין דער זעלביקער זייַט פון טאַבס.עס זאָל זיין באמערקט אַז טאָן ניט פאַרבינדן די זאַמלונג ווירעס צו די טשאַרדזשינג ווירעס פון עקוויפּמענט.
• די אַקיעראַסי פון אָפּצאָל און אָפּזאָגן ויסריכט און די ענטפער צייט זאָל אויך זיין גענומען אין באַטראַכטונג.דער ענטפער צייט איז סאַגדזשעסטיד נישט מער ווי 10ms.די קירצער פון ענטפער צייט, די מער פּינטלעך רעזולטאַט.